Transistörler - Bipolar (BJT) - RF
MMBT918
RF 0.05A, VERY HIGH FREQUENCY BA
- Üretici
- Rochester Electronics
- Paket/Kılıf
- TO-236-3
- Kategori
- Transistörler - Bipolar (BJT) - RF
- Seri / Aile Numarası
- MMBT918
MMBT918 Hakkında
MMBT918, Rochester Electronics tarafından üretilen NPN tipi RF transistörüdür. Yüksek frekanslı uygulamalar için tasarlanmış bu bileşen, 600MHz transition frequency ve 50mA maksimum kollektör akımı ile çalışır. 15dB gain ve 6dB noise figure karakteristiği sayesinde RF amplifikatörleri, mikserleri ve osilatörlerde kullanılır. SOT-23-3 (TO-236) yüzey montajlı paketinde sunulan transistör, -55°C ile 150°C arasında güvenli şekilde çalışır. 225mW maksimum güç dağıtımı kapasitesi ve 15V kollektör-emitter breakdown voltajı ile kompakt RF devrelerinde yer alır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 50mA |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 20 @ 3mA, 1V |
| Frequency - Transition | 600MHz |
| Gain | 15dB |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Noise Figure (dB Typ @ f) | 6dB @ 60MHz |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 225mW |
| Supplier Device Package | SOT-23-3 (TO-236) |
| Transistor Type | NPN |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 15V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok