Transistörler - Bipolar (BJT) - Tekil

MMBT8099LT1G

TRANS NPN 80V 500MA SOT23-3

Üretici
onsemi
Paket/Kılıf
TO-236-3
Seri / Aile Numarası
MMBT8099

MMBT8099LT1G Hakkında

MMBT8099LT1G, onsemi tarafından üretilen yüksek hızlı NPN bipolar transistördür. SOT-23-3 yüzey montaj paketinde sunulan bu komponent, maksimum 80V kolektör-emitter gerilimi ve 500mA kolektör akımı ile çalışabilir. 150MHz transition frekansı ve 225mW maksimum güç derecelendirmesi ile düşük sinyalli uygulamalara uygun tasarlanmıştır. Geniş sıcaklık aralığında (-55°C ~ 150°C) stabil performans sağlar. DC kazanç (hFE) minimum 100 olup, küçük sinyal amplifikasyonu ve anahtarlama devrelerinde kullanılmaya elverişlidir. Kompakt yapısı ve düşük güç gereksinimiyle tüketici elektroniği, endüstriyel kontrol ve haberleşme cihazlarında tercih edilir.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Collector (Ic) (Max) 500 mA
Current - Collector Cutoff (Max) 100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 100 @ 1mA, 5V
Frequency - Transition 150MHz
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Part Status Active
Power - Max 225 mW
Supplier Device Package SOT-23-3 (TO-236)
Transistor Type NPN
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 400mV @ 5mA, 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 80 V

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok