Transistörler - Bipolar (BJT) - Tekil

MMBT8099LT1

TRANS NPN 80V 0.5A SOT23

Üretici
onsemi
Paket/Kılıf
TO-236-3
Seri / Aile Numarası
MMBT8099

MMBT8099LT1 Hakkında

MMBT8099LT1, onsemi tarafından üretilen NPN bipolar junction transistörüdür. SOT-23 (TO-236-3) yüzeye monte paketinde sunulan bu transistör, 80V kolektör-emitter geriliminde çalışabilir ve maksimum 500mA kolektör akımı taşıyabilir. 225mW güç dissipasyon kapasitesiyle, düşük güçlü sinyal amplifikasyonu ve anahtarlama uygulamalarına uygundur. 150MHz geçiş frekansı ve 100 (minimum) DC akım kazancı (hFE) özellikleriyle, genel amaçlı amplifikasyon ve dijital anahtarlama devrelerinde kullanılır. -55°C ile +150°C çalışma sıcaklık aralığında kullanılabilir. Lojik kontrol devrelerinde, RF uygulamalarında ve düşük sinyal işleme devrelerinde tercih edilir.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Collector (Ic) (Max) 500 mA
Current - Collector Cutoff (Max) 100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 100 @ 1mA, 5V
Frequency - Transition 150MHz
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Part Status Obsolete
Power - Max 225 mW
Supplier Device Package SOT-23-3 (TO-236)
Transistor Type NPN
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 400mV @ 5mA, 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 80 V

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok