Transistörler - Bipolar (BJT) - Tekil
MMBT6521LT1G
TRANS NPN 25V 100MA SOT23-3
MMBT6521LT1G Hakkında
MMBT6521LT1G, onsemi tarafından üretilen bir NPN bipolar junction transistöründür (BJT). SOT-23-3 (TO-236) yüzey montajlı paket ile sunulan bu komponent, 25V maksimum collector-emitter gerilimi ve 100mA maksimum collector akımı ile çalışır. 300 minimum DC akım kazancı (hFE) ve 500mV saturasyon voltajı özellikleri ile düşük seviyelerdeki işaret amplifikasyonu ve anahtarlama uygulamalarında tercih edilir. -55°C ile 150°C arasında çalışabilen bu transistör, ses sistemleri, RF amplifikasyonu, anahtarlama devreleri ve düşük güç sinyal işleme uygulamalarında yaygın olarak kullanılmaktadır. 225mW maksimum güç dağılımı kapasitesi ile hafif yük koşullarında güvenilir performans sağlar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 100 mA |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 500nA (ICBO) |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 300 @ 2mA, 10V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 225 mW |
| Supplier Device Package | SOT-23-3 (TO-236) |
| Transistor Type | NPN |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 500mV @ 5mA, 50mA |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 25 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok