Transistörler - Bipolar (BJT) - Tekil

MMBT6520LT1G

TRANS PNP 350V 500MA SOT23-3

Üretici
onsemi
Paket/Kılıf
TO-236-3
Seri / Aile Numarası
MMBT6520

MMBT6520LT1G Hakkında

MMBT6520LT1G, onsemi tarafından üretilen yüksek gerilim PNP bipolar junction transistörüdür. 350V collector-emitter gerilim dayanımı ve 500mA maximum collector akımı ile güç uygulamalarında kullanılmaya uygundur. SOT-23-3 yüzeye montajlı paketlemesi ile kompakt tasarımlara entegrasyonu sağlar. 200MHz geçiş frekansı ve 225mW maksimum güç tüketimi özellikleriyle anahtarlama devrelerinde, amplifikasyon uygulamalarında ve düşük sinyal seviyesi kontrolü gereken sistemlerde tercih edilir. -55°C ile +150°C arasında çalışma sıcaklık aralığında güvenilir performans sunar.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Collector (Ic) (Max) 500 mA
Current - Collector Cutoff (Max) 50nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 20 @ 50mA, 10V
Frequency - Transition 200MHz
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Part Status Active
Power - Max 225 mW
Supplier Device Package SOT-23-3 (TO-236)
Transistor Type PNP
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 1V @ 5mA, 50mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 350 V

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok