Transistörler - Bipolar (BJT) - Tekil
MMBT6517LT3G
MMBT6517 - HIGH VOLTAGE NPN BIPO
- Üretici
- Rochester Electronics
- Paket/Kılıf
- TO-236-3
- Seri / Aile Numarası
- MMBT6517
MMBT6517LT3G Hakkında
MMBT6517LT3G, Rochester Electronics tarafından üretilen yüksek gerilim NPN bipolar junction transistörüdür. 350V collector-emitter breakdown voltajı ile güç kaynağı kontrolü, anahtarlama devreleri, darbe amplifikasyon ve RF uygulamalarında kullanılır. SOT-23-3 (TO-236) yüzey montajlı paketinde sunulan bu transistör, 100mA maksimum kolektör akımı, 200MHz transition frekansı ve -55°C ile 150°C arasında çalışma sıcaklığı aralığına sahiptir. 225mW maksimum güç dağılımı kapasitesi ile kompakt tasarımlar için uygundur. 20 minimum DC akım kazancı (50mA, 10V koşullarında) belirtilmiştir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 100 mA |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 50nA (ICBO) |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 20 @ 50mA, 10V |
| Frequency - Transition | 200MHz |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 225 mW |
| Supplier Device Package | SOT-23-3 (TO-236) |
| Transistor Type | NPN |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 1V @ 5mA, 50mA |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 350 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok