Transistörler - Bipolar (BJT) - Tekil
MMBT6517LT3G
TRANS NPN 350V 0.1A SOT-23
MMBT6517LT3G Hakkında
MMBT6517LT3G, onsemi tarafından üretilen yüksek voltaj NPN BJT transistörüdür. TO-236-3 (SOT-23) yüzeye monte paketinde sunulan bu bileşen, 350V kolektör-emiter kırılma voltajı ile yüksek voltaj uygulamalarında kullanılmaya uygundur. Maksimum 100mA kolektör akımı ve 200MHz geçiş frekansı ile orta hızlı anahtarlama işlemleri gerçekleştirebilir. 225mW güç dağıtımı kapasitesi ile düşük güçlü sinyal işleme, anahtarlama devreler ve kontrol uygulamalarında tercih edilir. -55°C ile +150°C arasında çalışabilen bu transistör, endüstriyel ölçüm cihazları, güç kaynakları ve koruma devrelerinde yaygın olarak kullanılır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 100 mA |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 50nA (ICBO) |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 20 @ 50mA, 10V |
| Frequency - Transition | 200MHz |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| Part Status | Obsolete |
| Power - Max | 225 mW |
| Supplier Device Package | SOT-23-3 (TO-236) |
| Transistor Type | NPN |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 1V @ 5mA, 50mA |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 350 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok