Transistörler - Bipolar (BJT) - Tekil
MMBT6517LT1G
TRANS NPN 350V 0.1A SOT23
MMBT6517LT1G Hakkında
MMBT6517LT1G, onsemi tarafından üretilen yüksek voltaj NPN bipolar transistördür. SOT-23 (TO-236-3) yüzey montaj paketinde sunulan bu komponent 350V maksimum kolektor-emitter gerilimi ile yüksek voltaj uygulamalarında kullanılır. 100mA maksimum kolektör akımı ve 200MHz transition frequency'si ile orta frekanslı anahtarlama ve amplifikasyon devreleri için uygun olacak şekilde tasarlanmıştır. 225mW maksimum güç tüketimi sınırlaması ile birlikte, -55°C ile 150°C arasında çalışma sıcaklığı aralığında güvenilir performans sunar. Endüstriyel kontrol, sinyal amplifikasyonu ve voltaj regülasyon devrelerinde yaygın olarak uygulanır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 100 mA |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 50nA (ICBO) |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 20 @ 50mA, 10V |
| Frequency - Transition | 200MHz |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| Part Status | Obsolete |
| Power - Max | 225 mW |
| Supplier Device Package | SOT-23-3 (TO-236) |
| Transistor Type | NPN |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 1V @ 5mA, 50mA |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 350 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok