Transistörler - Bipolar (BJT) - Tekil

MMBT6429LT1G

TRANS NPN 45V 200MA SOT23-3

Üretici
onsemi
Paket/Kılıf
TO-236-3
Seri / Aile Numarası
MMBT6429

MMBT6429LT1G Hakkında

MMBT6429LT1G, onsemi tarafından üretilen yüksek frekans NPN bipolar transistördür. SOT-23-3 surface mount paketinde sunulan bu komponent, 45V maksimum Vce ve 200mA maksimum kolektör akımı ile çalışır. 700MHz transition frequency ile RF ve yüksek hızlı anahtarlama uygulamalarında kullanılmaya uygundur. 225mW maksimum güç disipasyonu kapasitesine sahiptir. -55°C ile +150°C arasında çalışabilen bu transistör, sinyal amplifikasyonu, anahtarlama devreleri, ön amplifikatörler ve RF uygulamalarında yaygın olarak tercih edilir. 500 (minimum) DC current gain değeri ile yeterli akım kazancı sağlar.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Collector (Ic) (Max) 200 mA
Current - Collector Cutoff (Max) 100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 500 @ 100µA, 5V
Frequency - Transition 700MHz
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Part Status Active
Power - Max 225 mW
Supplier Device Package SOT-23-3 (TO-236)
Transistor Type NPN
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 600mV @ 5mA, 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 45 V

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok