Transistörler - Bipolar (BJT) - Tekil
MMBT5962
SMALL SIGNAL BIPOLAR TRANSISTOR,
- Üretici
- Rochester Electronics
- Paket/Kılıf
- TO-236-3
- Seri / Aile Numarası
- MMBT5962
MMBT5962 Hakkında
MMBT5962, Rochester Electronics tarafından üretilen küçük sinyal NPN bipolar junction transistördür (BJT). Surface mount SOT-23-3 paketinde sunulan bu bileşen, 100mA maksimum collector akımı ve 45V breakdown voltajı ile düşük güçlü elektronik uygulamalarında kullanılır. 600 minimum DC current gain (hFE) değeri ile voltaj amplifikasyonu gerektiren devrelerde tercih edilir. -55°C ile 150°C arası geniş çalışma sıcaklık aralığında stabil performans sağlar. Ses amplifikatörleri, sensör arabirimleri, anahtarlama devreleri ve genel amaçlı sinyal işleme uygulamalarında yaygın olarak yer alır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 100 mA |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 2nA (ICBO) |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 600 @ 10mA, 5V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 350 mW |
| Supplier Device Package | SOT-23-3 |
| Transistor Type | NPN |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 200mV @ 500µA, 10mA |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 45 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok