Transistörler - Bipolar (BJT) - RF

MMBT5770

RF TRANS NPN 15V 600MHZ SOT23-3

Üretici
onsemi
Paket/Kılıf
TO-236-3
Seri / Aile Numarası
MMBT5770

MMBT5770 Hakkında

MMBT5770, onsemi tarafından üretilen yüksek frekanslı NPN bipolar junction transistördür. Surface mount SOT-23-3 paketinde sunulan bu RF transistörü, 600MHz transition frequency ile radyo frekans uygulamalarında kullanılmak üzere tasarlanmıştır. Maksimum collector akımı 10mA, maksimum güç 225mW ve 15V collector-emitter gerilimi ile sınırlandırılan bu komponent, -55°C ile 150°C arasında çalışabilir. DC current gain (hFE) 3mA ve 1V koşullarında minimum 30 değeridir. RF amplifikatörü, osilatör ve high-frequency switching uygulamalarında tercih edilir. Not: Bu komponent üretimi durdurulmuş durumdadır.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Collector (Ic) (Max) 10mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 30 @ 3mA, 1V
Frequency - Transition 600MHz
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Part Status Obsolete
Power - Max 225mW
Supplier Device Package SOT-23-3
Transistor Type NPN
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 15V

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok