Transistörler - Bipolar (BJT) - Tekil
MMBT5551LT3G
TRANS NPN 160V 600MA SOT23-3
MMBT5551LT3G Hakkında
MMBT5551LT3G, onsemi tarafından üretilen yüksek voltaj NPN bipolar junction transistörüdür. SOT-23-3 (TO-236) SMD paketinde sunulan bu transistör, 160V kolektör-emitter breakdown voltajı ve 600mA maksimum kolektör akımı ile anahtarlama ve amplifikasyon uygulamalarında kullanılır. 225mW maksimum güç dağıtımı kapasitesi ile DC anahtarı olarak, sinyal amplifikatörü olarak veya dijital devre komponentleri arasında sürücü görevi görebilir. -55°C ile 150°C arası çalışma sıcaklık aralığında güvenilir performans sunar. Düşük kolektör cut-off akımı (100nA) ve belirlenmiş saturasyon voltajı (200mV @ 50mA) ile güç verimliliği sağlayan, endüstriyel ve consumer elektronik uygulamalarında tercih edilen bir komponenttir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 600 mA |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 100nA |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 80 @ 10mA, 5V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 225 mW |
| Supplier Device Package | SOT-23-3 (TO-236) |
| Transistor Type | NPN |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 200mV @ 5mA, 50mA |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 160 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok