Transistörler - Bipolar (BJT) - Tekil
MMBT5551LT1G
TRANS NPN 160V 600MA SOT23-3
MMBT5551LT1G Hakkında
MMBT5551LT1G, onsemi tarafından üretilen yüksek gerilim NPN bipolar transistördür. SOT-23-3 (TO-236) SMD paketinde sunulan bu komponent, 160V maksimum collector-emitter gerilimi ve 600mA maksimum collector akımı ile çalışabilir. 225mW maksimum güç dağıtımı kapasitesine sahiptir. DC akım kazancı (hFE) 10mA collector akımında 80 minimum değerine ulaşır. Vce doyum gerilimi 50mA akımda 200mV'dir. -55°C ile 150°C arasında çalışma sıcaklığı aralığında kullanılabilir. Anahtarlama uygulamaları, amplifikasyon devreleri, driver devreleri ve genel amaçlı sinyal işleme uygulamalarında yaygın olarak kullanılır. Surface mount teknolojisi ile tasarlanmış olup yüksek hacimli üretim için uygundur.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 600 mA |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 100nA |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 80 @ 10mA, 5V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 225 mW |
| Supplier Device Package | SOT-23-3 (TO-236) |
| Transistor Type | NPN |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 200mV @ 5mA, 50mA |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 160 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok