Transistörler - Bipolar (BJT) - Tekil
MMBT5551HE3-TP
NPN GENERAL PURPOSE AMPLIFIER,SO
MMBT5551HE3-TP Hakkında
MMBT5551HE3-TP, Micro Commercial Components tarafından üretilen NPN tipi genel amaçlı bipolar transistördür. SOT-23 yüzey montajı paketinde sunulan bu komponent, sinyal amplifikasyonu ve anahtarlama uygulamalarında kullanılır. 600mA maksimum collector akımı, 300MHz transition frequency ve 160V collector-emitter breakdown voltajı ile orta seviye güç uygulamalarına uygundur. 100 minimum DC current gain (hFE) değeri, düşük seviyeli sinyallerin güvenilir şekilde amplifikasyonunu sağlar. -55°C ile 150°C arasında çalışma sıcaklık aralığında endüstriyel ve tüketici elektronik uygulamalarında tercih edilir. Düşük collector-emitter saturation voltajı (200mV) ile verimli anahtarlama işlemi gerçekleştirebilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 600 mA |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 50nA (ICBO) |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 100 @ 10mA, 5V |
| Frequency - Transition | 300MHz |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 300 mW |
| Supplier Device Package | SOT-23 |
| Transistor Type | NPN |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 200mV @ 5mA, 50mA |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 160 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok