Transistörler - Bipolar (BJT) - Tekil
MMBT5551
0.6A, 160V, NPN
- Üretici
- Rochester Electronics
- Paket/Kılıf
- TO-236-3
- Seri / Aile Numarası
- MMBT5551
MMBT5551 Hakkında
MMBT5551, Rochester Electronics tarafından üretilen yüksek voltaj NPN bipolar transistörüdür. 600mA kolektör akımı ve 160V kırılma voltajı ile çeşitli anahtarlama ve amplifikasyon uygulamalarında kullanılır. DC akım kazancı (hFE) 10mA, 5V koşullarında en az 80'dir. 100MHz transition frekansı ile orta hızlı dijital ve analog devre tasarımlarında yer alabilir. 350mW maksimum güç dağıtımı kapasitesi ile sinyal işleme, sürücü devreleri ve anahtarlama uygulamalarına uygundur. Geniş çalışma sıcaklık aralığı (-55°C ~ 150°C) sayesinde endüstriyel ortamlarda da kullanılabilir. Surface mount SOT-23-3 paketinde sunulan bu transistör, kompakt elektronik tasarımlar için tercih edilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 600 mA |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 50nA (ICBO) |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 80 @ 10mA, 5V |
| Frequency - Transition | 100MHz |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 350 mW |
| Supplier Device Package | SOT-23-3 |
| Transistor Type | NPN |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 200mV @ 5mA, 50mA |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 160 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok