Transistörler - Bipolar (BJT) - Tekil

MMBT5551_R1_00001

SOT-23, TRANSISTOR

Üretici
PANJIT
Paket/Kılıf
TO-236-3
Seri / Aile Numarası
MMBT5551

MMBT5551_R1_00001 Hakkında

MMBT5551, PANJIT tarafından üretilen NPN tipi bipolar transistördür. SOT-23 (TO-236-3) yüzey montajı paketinde sunulan bu bileşen, 600 mA maksimum collector akımı ve 250 mW güç kapasitesiyle genel amaçlı amplifikasyon ve anahtarlama uygulamalarında kullanılır. 300 MHz transition frekansı ile orta hızlı işlem gerektiren devrelerde başarıyla çalışır. -55°C ile 150°C arasında çalışma sıcaklığı aralığında kullanılabilir. 160 V maksimum Vce breakdown voltajı sayesinde yüksek voltaj uygulamalarında tercih edilir. Ses amplifikatörleri, RF uygulamaları, kontrol devreleri ve genel sinyal işleme uygulamalarında yaygın olarak yer alır.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Collector (Ic) (Max) 600 mA
Current - Collector Cutoff (Max) 50nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 80 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition 300MHz
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Part Status Active
Power - Max 250 mW
Supplier Device Package SOT-23
Transistor Type NPN
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 200mV @ 5mA, 50mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 160 V

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok