Transistörler - Bipolar (BJT) - Tekil
MMBT5551
TRANS NPN 160V 0.6A SOT-23
MMBT5551 Hakkında
MMBT5551, onsemi tarafından üretilen yüzey montajlı NPN bipolar transistördür. TO-236-3 (SOT-23-3) paketinde sunulan bu transistör, 160V maksimum collector-emitter gerilimi ve 600mA maksimum collector akımı ile çalışabilir. 100MHz transition frequency'si sayesinde orta frekans uygulamalarında kullanılmaya uygundur. DC akım kazancı (hFE) 10mA collector akımında minimum 80 değerine sahiptir. 350mW maksimum güç dağıtım kapasitesiyle ve -55°C ile 150°C arasında çalışma sıcaklık aralığıyla, genel sinyal amplifikasyon ve anahtarlama uygulamalarında tercih edilen bir transistördür. Düşük collector cutoff akımı (50nA) ve 200mV doyma gerilimi ile verimli devre tasarımlarına olanak sağlar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 600 mA |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 50nA (ICBO) |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 80 @ 10mA, 5V |
| Frequency - Transition | 100MHz |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| Part Status | Obsolete |
| Power - Max | 350 mW |
| Supplier Device Package | SOT-23-3 |
| Transistor Type | NPN |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 200mV @ 5mA, 50mA |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 160 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok