Transistörler - Bipolar (BJT) - Tekil
MMBT5551_NL
TRANS 160V 350MW NPN SMD SOT-23
MMBT5551_NL Hakkında
MMBT5551_NL, onsemi tarafından üretilen NPN bipolar junction transistördür. SOT-23 yüzey montaj paketinde sunulan bu bileşen, 160V maksimum collector-emitter breakdown voltajı ve 350mW güç tüketimi ile tasarlanmıştır. 600mA maksimum collector akımı, 80 minimum DC akım kazancı (10mA, 5V koşullarında) ve 100MHz transition frequency özelliğine sahiptir. -55°C ile 150°C arasında çalışma sıcaklığı aralığında kullanılabilir. Küçük sinyal anahtarlama ve amplifikasyon uygulamalarında, düşük güç RF devrelerde ve genel amaçlı dijital/analog devreler içinde yaygın olarak kullanılmaktadır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 600 mA |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 50nA (ICBO) |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 80 @ 10mA, 5V |
| Frequency - Transition | 100MHz |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| Part Status | Obsolete |
| Power - Max | 350 mW |
| Supplier Device Package | SOT-23-3 |
| Transistor Type | NPN |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 200mV @ 5mA, 50mA |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 160 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok