Transistörler - Bipolar (BJT) - Tekil

MMBT5551-F2-0000HF

NPN TRANS 160V 0.6A SOT-23-3L

Üretici
YANGJIE
Paket/Kılıf
TO-236-3
Seri / Aile Numarası
MMBT5551

MMBT5551-F2-0000HF Hakkında

MMBT5551-F2-0000HF, YANGJIE tarafından üretilen yüksek voltaj NPN bipolar junction transistördür. 160V (Vce) collector-emitter breakdown voltajı ve 600mA maksimum collector akımı ile ortaçılı güç uygulamalarında kullanılır. 300MHz transition frequency ile hızlı anahtarlama işlemlerine uygun tasarlanmıştır. SOT-23-3L SMD paketinde sunulan bu transistör, -55°C ile 150°C arasında çalışabilen geniş sıcaklık aralığına sahiptir. 300mW maksimum güç dağıtımı kapasitesi ile genel amaçlı ve düşük güç amplifikasyon, anahtar ve oscillator devrelerinde tercih edilir. 100'ün üzerinde DC current gain (hFE) ve 200mV'lik saturation voltajı ile verimli anahatlama sağlar.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Collector (Ic) (Max) 600 mA
Current - Collector Cutoff (Max) 50nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 100 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition 300MHz
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Part Status Active
Power - Max 300 mW
Supplier Device Package SOT-23
Transistor Type NPN
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 200mV @ 5mA, 50mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 160 V

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok