Transistörler - Bipolar (BJT) - Tekil
MMBT5551
BJT SOT-23 160V 600MA
- Üretici
- DComponents
- Paket/Kılıf
- TO-236-3
- Seri / Aile Numarası
- MMBT5551
MMBT5551 Hakkında
MMBT5551, DComponents tarafından üretilen NPN bipolar junction transistör (BJT) olup, SOT-23 (TO-236) yüzey montaj paketinde sunulmaktadır. 160V maksimum kolektor-emiter gerilimi ve 600mA maksimum kolektor akımı ile orta güç uygulamalarında kullanılmaya uygundur. 300MHz transition frequency ile anahtarlama ve düşük frekanslı amplifikasyon devrelerinde çalışabilir. DC akım kazancı (hFE) 10mA, 5V koşullarında minimum 80 değerine sahiptir. Maksimum 250mW güç tüketimi ile beslemesi kısıtlı tasarımlarda tercih edilir. -55°C ~ +150°C geniş çalışma sıcaklık aralığı sunmaktadır. Darbe, anahtarlama, sinyal amplifikasyonu ve genel amaçlı BJT uygulamalarında kullanılır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 600 mA |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 50nA (ICBO) |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 80 @ 10mA, 5V |
| Frequency - Transition | 300MHz |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 250 mW |
| Supplier Device Package | SOT-23-3 (TO-236) |
| Transistor Type | NPN |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 200mV @ 5mA, 50mA |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 160 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok