Transistörler - Bipolar (BJT) - Tekil
MMBT5551-AU_R1_000A2
NPN HIGH VOLTAGE TRANSISTOR
MMBT5551-AU_R1_000A2 Hakkında
MMBT5551-AU_R1_000A2, PANJIT tarafından üretilen yüksek gerilim NPN bipolar transistördür. TO-236-3 (SOT-23-3) yüzey montajlı pakette sunulan bu transistör, 160V Vce(br) dielektrik dayanımı ve 600mA maksimum collector akımı kapasitesiyle karakterizedir. 250mW güç dissipasyonu, 80 minimum DC current gain (10mA, 5V'de) ve 300MHz transition frequency ile hızlı anahtarlama uygulamalarına uygundur. -55°C ile 150°C arasında çalışan bu bileşen, ses amplifikatörleri, RF uygulamaları, anahtar devreler ve genel amaçlı yüksek gerilim amplifikasyon uygulamalarında kullanılır. Düşük collector cutoff akımı (50nA ICBO) ve 200mV saturation voltajı ile verimli devre tasarımı sağlar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 600 mA |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 50nA (ICBO) |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 80 @ 10mA, 5V |
| Frequency - Transition | 300MHz |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 250 mW |
| Supplier Device Package | SOT-23 |
| Transistor Type | NPN |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 200mV @ 5mA, 50mA |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 160 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok