Transistörler - Bipolar (BJT) - Tekil
MMBT5551-7-F
TRANS NPN 160V 0.6A SOT23-3
- Üretici
- Diodes Incorporated
- Paket/Kılıf
- TO-236-3
- Seri / Aile Numarası
- MMBT5551
MMBT5551-7-F Hakkında
MMBT5551-7-F, Diodes Incorporated tarafından üretilen bir NPN tipi bipolar jonksiyon transistörüdür (BJT). SOT-23-3 (TO-236-3) yüzey montaj paketinde sunulan bu transistör, 160V maksimum collector-emitter gerilimi ve 600mA maksimum collector akımı ile orta seviye güç uygulamalarında kullanılır. 300MHz transition frequency ile küçük sinyal işleme ve anahtarlama devreleri için uygundur. DC akım kazancı (hFE) 10mA/5V'te minimum 80 değerine sahiptir. 300mW maksimum güç harcaması ve -55°C ile 150°C arasında çalışma sıcaklığı aralığı ile endüstriyel ve geniş sıcaklık uygulamalarında tercih edilir. Genel amaçlı amplifikasyon, darbe devreleri ve düşük güçlü anahtarlama uygulamalarında yaygın olarak kullanılır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 600 mA |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 500nA (ICBO) |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 80 @ 10mA, 5V |
| Frequency - Transition | 300MHz |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 300 mW |
| Supplier Device Package | SOT-23-3 |
| Transistor Type | NPN |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 200mV @ 5mA, 50mA |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 160 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok