Transistörler - Bipolar (BJT) - Tekil
MMBT5551-7
TRANS NPN 160V 0.6A SMD SOT23-3
- Üretici
- Diodes Incorporated
- Paket/Kılıf
- TO-236-3
- Seri / Aile Numarası
- MMBT5551
MMBT5551-7 Hakkında
MMBT5551-7, Diodes Incorporated tarafından üretilen yüksek voltaj NPN bipolar junction transistördür. SOT-23-3 yüzey montaj paketinde sunulan bu bileşen, 160V maksimum kolektor-emitter gerilimi ve 600mA maksimum kolektor akımı ile çalışır. 300MHz transition frequency'sine sahip olan transistör, anahtarlama ve amplifikasyon uygulamalarında kullanılır. 80 minimum DC akım kazancı (hFE) ve 200mV saturasyon gerilimi ile düşük güç tüketimli devreler tasarlanabilir. -55°C ile +150°C arasında çalışma sıcaklığı aralığında kararlı performans gösterir. 300mW maksimum güç sınırlaması nedeniyle sinyal işleme, ses amplifikasyonu ve genel amaçlı anahtarlama devrelerinde yaygın olarak tercih edilir. Ürün halen üretilmektedir ve sektörde yaygın olarak stoklanmaktadır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 600 mA |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 50nA (ICBO) |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 80 @ 10mA, 5V |
| Frequency - Transition | 300MHz |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| Part Status | Market |
| Power - Max | 300 mW |
| Supplier Device Package | SOT-23-3 |
| Transistor Type | NPN |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 200mV @ 5mA, 50mA |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 160 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok