Transistörler - Bipolar (BJT) - Tekil
MMBT5551
T-NPN SI- SWITCHING
- Üretici
- NTE Electronics, Inc.
- Paket/Kılıf
- TO-236-3
- Seri / Aile Numarası
- MMBT5551
MMBT5551 Hakkında
MMBT5551, NTE Electronics tarafından üretilen yüksek hızlı NPN silikon bipolar transistördür. TO-236-3 (SOT-23-3) yüzey montaj paketinde sunulan bu komponent, anahtarlama ve düşük sinyal uygulamalarında kullanılır. 600mA maksimum kolektör akımı, 160V gerilim dayanıklılığı ve 100MHz geçiş frekansı ile 80-600mA akım aralığında stabil DC kazancı sağlar. -55°C ile +150°C arası çalışma sıcaklığı aralığında güvenilir performans sunarak, endüstriyel kontrol devreleri, anahtarlama düzenlekeleri, RF uygulamaları ve genel amaçlı transistör uygulamalarında tercih edilir. 350mW güç dağıtım kapasitesi ile kompakt tasarımların gerçekleştirilmesine olanak tanır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 600 mA |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 50nA (ICBO) |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 80 @ 10mA, 5V |
| Frequency - Transition | 100MHz |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 350 mW |
| Supplier Device Package | SOT-23-3 |
| Transistor Type | NPN |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 200mV @ 5mA, 50mA |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 160 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok