Transistörler - Bipolar (BJT) - Tekil
MMBT5550LT3G
TRANS NPN 140V 600MA SOT23-3
MMBT5550LT3G Hakkında
MMBT5550LT3G, onsemi tarafından üretilen yüksek voltaj NPN bipolar transistördür. SOT-23-3 (TO-236) yüzey montajlı paketinde sunulan bu transistör, 140V kolektör-emitter kırılma gerilimi ve 600mA maksimum kolektör akımı ile çalışır. 60 minimum hFE DC akım kazancı (10mA, 5V'de) ve 225mW maksimum güç dağıtımı kapasitesi ile karakterize edilir. -55°C ile 150°C arası çalışma sıcaklık aralığında kullanılabilir. Düşük cutoff akımı (100nA) ve 250mV maksimum doyum gerilimi sayesinde anahtarlama ve amplifikasyon uygulamalarında tercih edilir. Tüketici elektroniği, endüstriyel kontrol sistemleri ve genel amaçlı anahtarlama devrelerinde yaygın olarak kullanılır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 600 mA |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 100nA |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 60 @ 10mA, 5V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 225 mW |
| Supplier Device Package | SOT-23-3 (TO-236) |
| Transistor Type | NPN |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 250mV @ 5mA, 50mA |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 140 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok