Transistörler - Bipolar (BJT) - Tekil
MMBT5550LT1G
TRANS NPN 140V 600MA SOT23-3
MMBT5550LT1G Hakkında
MMBT5550LT1G, onsemi tarafından üretilen yüksek voltajlı NPN bipolar transistördür. SOT-23-3 (TO-236) yüzey montaj paketinde sunulan bu komponent, maksimum 600mA kolektör akımı ve 140V çökertme voltajı ile çalışabilir. DC akım kazancı (hFE) 10mA, 5V koşullarında minimum 60 değerindedir. Maximum 225mW güç harcaması ile belirtilen transistör, -55°C ile +150°C arasında güvenilir şekilde çalışır. Düşük saturasyon voltajı (250mV @ 50mA) sayesinde anahtarlama uygulamalarında verimlidir. Kontrol devreleri, gerilim düzenleyiciler, anahtarlama uygulamaları ve sinyal yükseltme gibi çeşitli alanlarda kullanılabilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 600 mA |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 100nA |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 60 @ 10mA, 5V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 225 mW |
| Supplier Device Package | SOT-23-3 (TO-236) |
| Transistor Type | NPN |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 250mV @ 5mA, 50mA |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 140 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok