Transistörler - Bipolar (BJT) - Tekil

MMBT5550-FS

0.6A, 140V, NPN, TO-236AB

Paket/Kılıf
TO-236-3
Seri / Aile Numarası
MMBT5550

MMBT5550-FS Hakkında

MMBT5550-FS, Rochester Electronics tarafından üretilen yüksek voltaj NPN bipolar transistörüdür. TO-236AB (SOT-23-3) yüzey montajlı paket içinde sunulan bu komponent, maksimum 600mA kollektör akımı ve 140V kolektor-emiter kırılma voltajı ile çalışır. 350mW güç kapasitesine sahip transistör, anahtarlama ve amplifikasyon uygulamalarında kullanılır. DC akım kazancı (hFE) 10mA, 5V'de minimum 60 değerindedir. 50MHz transition frequency ile orta hızlı uygulamalara uygundur. -55°C ile 150°C arasında güvenli çalışma sağlar. Voltaj regülatörleri, anahtarlama güç kaynakları ve genel amaçlı amplifikasyon devrelerinde tercih edilir.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Collector (Ic) (Max) 600 mA
Current - Collector Cutoff (Max) 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 60 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition 50MHz
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Part Status Active
Power - Max 350 mW
Supplier Device Package SOT-23-3
Transistor Type NPN
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 250mV @ 5mA, 50mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 140 V

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok