Transistörler - Bipolar (BJT) - Tekil
MMBT5401M3T5G
PNP TRANSISTOR 150V
MMBT5401M3T5G Hakkında
MMBT5401M3T5G, onsemi tarafından üretilen PNP bipolar junction transistör (BJT) olup, yüksek voltaj uygulamalarında kullanılmak üzere tasarlanmıştır. 150V collector-emitter breakdown voltajı ile güç kaynağı kontrol devrelerinde, anahtar uygulamalarında ve darbe amplifikasyonunda tercih edilir. 60mA maksimum collector akımı ve 130mW güç dağıtım kapasitesi ile orta seviye sinyal işleme ve anahtarlama görevlerini gerçekleştirir. SOT-723 Surface Mount paketinde sunulan komponent, 180MHz transition frequency ile frekans özelliğine sahiptir. -55°C ile 150°C arasında çalışan geniş sıcaklık aralığında güvenilir performans sunar. Tüketici elektroniği, endüstriyel kontrol sistemleri ve portable cihazlarda yaygın olarak kullanılan bir transistördür.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 60 mA |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 100nA (ICBO) |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 60 @ 10mA, 5V |
| Frequency - Transition | 180MHz |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | SOT-723 |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 130 mW |
| Supplier Device Package | SOT-723 |
| Transistor Type | PNP |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 600mV @ 5mA, 50mA |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 150 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok