Transistörler - Bipolar (BJT) - Tekil

MMBT5401LT1G

TRANS PNP 150V 500MA SOT23-3

Üretici
onsemi
Paket/Kılıf
TO-236-3
Seri / Aile Numarası
MMBT5401

MMBT5401LT1G Hakkında

MMBT5401LT1G, onsemi tarafından üretilen yüksek voltajlı PNP bipolar transistördür. TO-236-3 (SOT-23-3) yüzey montaj paketinde sunulan bu bileşen, 150V maksimum kolektor-emitter gerilimi ve 500mA maksimum kolektor akımı ile tasarlanmıştır. DC akım kazancı (hFE) 10mA, 5V koşullarında minimum 60'tır. 300MHz transit frekansı sayesinde hızlı komütasyon uygulamalarında kullanılabilir. 300mW maksimum güç disipasyonu ile darbe devrelerine, ses amplifikatörlerine ve düşük güçlü anahtarlama uygulamalarına uygundur. -55°C ile +150°C arasında çalışan bu transistör, endüstriyel ve otomotiv uygulamalarında tercih edilir.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Collector (Ic) (Max) 500 mA
Current - Collector Cutoff (Max) 50nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 60 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition 300MHz
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Part Status Active
Power - Max 300 mW
Supplier Device Package SOT-23-3 (TO-236)
Transistor Type PNP
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 500mV @ 5mA, 50mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 150 V

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok