Transistörler - Bipolar (BJT) - Tekil
MMBT5401-G
TRANS PNP 150V 0.6A SOT-23
- Üretici
- Comchip Technology
- Paket/Kılıf
- TO-236-3
- Seri / Aile Numarası
- MMBT5401
MMBT5401-G Hakkında
MMBT5401-G, Comchip Technology tarafından üretilen bir PNP bipolar junction transistördür (BJT). SOT-23-3 (SC-59) yüzey montajlı paket ile sunulan bu komponent, 150V collector-emitter breakdown voltajı ve 600mA maksimum collector akımı ile karakterizedir. 300mW maksimum güç disipasyonu ve 100MHz transition frequency ile orta hızlı anahtarlama uygulamalarında kullanılır. DC current gain (hFE) 100 @ 10mA, 5V koşullarında sağlanır. Geniş çalışma sıcaklık aralığı (-55°C ~ 150°C) nedeniyle endüstriyel ve tüketici uygulamalarında tercih edilir. Audio amplifier devreleri, sinyal anahtarlama, darbe oluşturma (pulse generation) ve genel amaçlı switching uygulamalarında yaygın olarak kullanılır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 600 mA |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 100nA (ICBO) |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 100 @ 10mA, 5V |
| Frequency - Transition | 100MHz |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 300 mW |
| Supplier Device Package | SOT-23-3 |
| Transistor Type | PNP |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 500mV @ 5mA, 50mA |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 150 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok