Transistörler - Bipolar (BJT) - Tekil
MMBT5401-7-F
TRANS PNP 150V 0.6A SMD SOT23-3
- Üretici
- Diodes Incorporated
- Paket/Kılıf
- TO-236-3
- Seri / Aile Numarası
- MMBT5401
MMBT5401-7-F Hakkında
MMBT5401-7-F, Diodes Incorporated tarafından üretilen yüksek voltaj PNP bipolar junction transistördür. SOT-23-3 (TO-236) SMD paketinde sunulan bu bileşen, 150V collector-emitter breakdown voltajı ve 600mA maksimum collector akımı ile karakterizedir. 300MHz transition frequency'si sayesinde hızlı anahtarlama uygulamalarında kullanılabilir. DC current gain (hFE) minimum 60 değeriyle, 10mA collector akımında 5V Vce'de çalışır. 500mV saturation voltajı ile düşük enerji kaybında çalıştırılabilir. -55°C ile +150°C arasında güvenilir operasyon sunar. Düşük güç tüketimi (300mW max) nedeniyle portable ve batarya beslemeli cihazlarda, anahtarlama devrelerinde, sinyal amplifikasyonunda ve genel amaçlı elektronik uygulamalarında yaygın olarak kullanılır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 600 mA |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 50nA (ICBO) |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 60 @ 10mA, 5V |
| Frequency - Transition | 300MHz |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 300 mW |
| Supplier Device Package | SOT-23-3 |
| Transistor Type | PNP |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 500mV @ 5mA, 50mA |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 150 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok