Transistörler - Bipolar (BJT) - Tekil

MMBT5089LT1G

TRANS NPN 25V 50MA SOT23-3

Üretici
onsemi
Paket/Kılıf
TO-236-3
Seri / Aile Numarası
MMBT5089

MMBT5089LT1G Hakkında

MMBT5089LT1G, onsemi tarafından üretilen yüksek kazançlı NPN bipolar junction transistördür. SOT-23-3 yüzey montajlı paket ile küçük form faktöründe tasarlanmıştır. 25V VCEO ile çalışabilen bu transistör, maksimum 50mA kolektör akımında ve 300mW güç disipasyonu kapasitesinde çalışır. 400'ün üzerinde DC akım kazancı (hFE) ile genel amaçlı anahtarlama ve amplifikasyon uygulamalarında kullanılır. 50MHz transition frequency ile düşük frekanslı sinyal işleme, kontrol devreleri ve dijital mantık entegrasyonunda uygulanabilir. -55°C ile 150°C arasında geniş çalışma sıcaklığı aralığında güvenilir performans sunar. Sinyal amplifikasyonu, anahtarlama, inverter devreler ve sensor kontrolü gibi uygulamalarda tercih edilir.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Collector (Ic) (Max) 50 mA
Current - Collector Cutoff (Max) 50nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 400 @ 100µA, 5V
Frequency - Transition 50MHz
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Part Status Active
Power - Max 300 mW
Supplier Device Package SOT-23-3 (TO-236)
Transistor Type NPN
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 500mV @ 1mA, 10mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 25 V

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok