Transistörler - Bipolar (BJT) - Tekil

MMBT5089LT1

TRANS NPN 25V 50MA SOT23

Üretici
onsemi
Paket/Kılıf
TO-236-3
Seri / Aile Numarası
MMBT5089

MMBT5089LT1 Hakkında

MMBT5089LT1, onsemi tarafından üretilen yüksek kazançlı NPN bipolar junction transistördür (BJT). SOT-23-3 yüzey montaj paketinde sunulan bu transistör, 25V maksimum collector-emitter gerilimi ve 50mA maksimum collector akımı ile düşük güçlü anahtarlama ve amplifikasyon uygulamalarında kullanılır. 50MHz transition frequency ile hızlı komütasyon işlemlerine uygun, 450 minimum DC akım kazancı (hFE) ile sinyal amplifikasyonunda etkilidir. -55°C ile 150°C arasında çalışma sıcaklık aralığında, 225mW maksimum güç tüketimi ile taşınabilir elektronik cihazlar, sensör arabirimleri ve genel amaçlı kontrol devreleri gibi uygulamalarda tercih edilir.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Collector (Ic) (Max) 50 mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 450 @ 1mA, 5V
Frequency - Transition 50MHz
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Part Status Obsolete
Power - Max 225 mW
Supplier Device Package SOT-23-3 (TO-236)
Transistor Type NPN
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 500mV @ 1mA, 10mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 25 V

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok