Transistörler - Bipolar (BJT) - Tekil

MMBT5087LT1G

TRANS PNP 50V 50MA SOT23-3

Üretici
onsemi
Paket/Kılıf
TO-236-3
Seri / Aile Numarası
MMBT5087

MMBT5087LT1G Hakkında

MMBT5087LT1G, onsemi tarafından üretilen PNP tipi bipolar junction transistöründür (BJT). SOT-23-3 (TO-236) yüzey montaj paketinde sunulan bu komponentin maksimum collector akımı 50 mA, collector-emitter gerilimi 50 V'dur. 250 minimum DC akım kazancı (hFE) ile orta güç uygulamalarında kullanılır. 40 MHz transition frequency ile orta hızlı anahtarlama operasyonlarına uygundur. -55°C ile 150°C arasında çalışma sıcaklığında, maksimum 300 mW güç tüketimi ile genel amaçlı anahtarlama, amplifikasyon ve sinyal işleme devrelerinde yer alır. Düşük kesim akımı (50 nA ICBO) ve 300 mV saturasyon gerilimi ile hassas uygulamalarda tercih edilir.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Collector (Ic) (Max) 50 mA
Current - Collector Cutoff (Max) 50nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 250 @ 100µA, 5V
Frequency - Transition 40MHz
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Part Status Active
Power - Max 300 mW
Supplier Device Package SOT-23-3 (TO-236)
Transistor Type PNP
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 300mV @ 1mA, 10mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 50 V

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok