Transistörler - Bipolar (BJT) - Tekil

MMBT489LT1G

TRANS NPN 30V 1A SOT23-3

Üretici
onsemi
Paket/Kılıf
TO-236-3
Seri / Aile Numarası
MMBT489

MMBT489LT1G Hakkında

MMBT489LT1G, onsemi tarafından üretilen yüksek hızlı NPN bipolar jonksiyon transistörüdür. SOT-23-3 (SC-59, TO-236-3) SMD paketinde sunulan bu bileşen, 30V maksimum kolektor-emiter gerilimi ve 1A maksimum kolektor akımı ile çalışabilir. 100MHz geçiş frekansına sahip transistör, anahtarlama ve amplifikasyon uygulamalarında kullanılır. 300 minimum DC akım kazancı (hFE) ile 500mA kolektor akımında ve 5V Vce'de çalışır. 710mW güç tüketebilen bu transistör, -55°C ile +150°C sıcaklık aralığında güvenli şekilde çalışır. Düşük kolektor kapalı akımı (100nA) sayesinde hafif sızıntı yönetimi sağlar. Ses frekansı amplifikatörleri, RF devreleri, lojik seviyeleri uyarlama, sinyal şekillendirme ve genel amaçlı anahtarlama uygulamalarında yaygın olarak kullanılır.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Collector (Ic) (Max) 1 A
Current - Collector Cutoff (Max) 100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 300 @ 500mA, 5V
Frequency - Transition 100MHz
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Part Status Active
Power - Max 710 mW
Supplier Device Package SOT-23-3 (TO-236)
Transistor Type NPN
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 200mV @ 100mA, 1A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 30 V

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok