Transistörler - Bipolar (BJT) - Tekil

MMBT4401LT1G

TRANS NPN 40V 600MA SOT23-3

Üretici
onsemi
Paket/Kılıf
TO-236-3
Seri / Aile Numarası
MMBT4401

MMBT4401LT1G Hakkında

MMBT4401LT1G, onsemi tarafından üretilen NPN bipolar junction transistördür. SOT-23-3 (TO-236) yüzey montajlı paket içinde sunulan bu bileşen, 40V'a kadar collector-emitter gerilimi dayanımı ve 600mA maksimum collector akımı ile çalışır. 250MHz transition frequency'si sayesinde yüksek hızlı anahtarlama uygulamalarına uygundur. 100 (minimum) DC current gain değeri ile orta seviye akım kuvvetlendirme sağlar. 300mW güç disipasyonu kapasitesi ve -55°C ile 150°C arası çalışma sıcaklığı aralığı, endüstriyel ve geniş sıcaklık ortamlarında kullanılmaya elverişli kılar. Audio amplifikasyonu, pulse şekillendirme, anahtarlama devreleri ve dijital lojik seviyelendirme gibi uygulamalarda tercih edilir.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Collector (Ic) (Max) 600 mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 100 @ 150mA, 1V
Frequency - Transition 250MHz
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Part Status Active
Power - Max 300 mW
Supplier Device Package SOT-23-3 (TO-236)
Transistor Type NPN
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 750mV @ 50mA, 500mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 40 V

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok