Transistörler - Bipolar (BJT) - Tekil

MMBT4356

TRANS PNP 80V 0.8A SOT-23

Üretici
onsemi
Paket/Kılıf
TO-236-3
Seri / Aile Numarası
MMBT4356

MMBT4356 Hakkında

MMBT4356, onsemi tarafından üretilen PNP tipi bipolar junction transistör (BJT) olup, Surface Mount SOT-23-3 paketinde sunulmaktadır. Maksimum 80V collector-emitter gerilimi ve 800mA collector akımı ile çalışabilen bu transistör, 350mW güç tüketim kapasitesine sahiptir. DC akım kazancı (hFE) minimum 50'dir (10mA, 10V koşullarında). Geniş işletme sıcaklık aralığında (-55°C ~ 150°C) stabil çalışan MMBT4356, darbe devrelerinde, sinyal anahtarlamada, düşük güçlü amplifikasyon uygulamalarında ve genel amaçlı elektronik tasarımlarda kullanılır. 50nA maksimum cutoff akımı ile düşük kaçak akımı özelliği vardır. Pahalı olmayan ve küçük boyutlu uygulamalar için ekonomik bir seçenektir. Not: Bu bileşen artık üretim dışı (Obsolete) durumdadır.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Collector (Ic) (Max) 800 mA
Current - Collector Cutoff (Max) 50nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 50 @ 10mA, 10V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Part Status Obsolete
Power - Max 350 mW
Supplier Device Package SOT-23-3
Transistor Type PNP
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 500mV @ 50mA, 500mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 80 V

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok