Transistörler - Bipolar (BJT) - Tekil

MMBT3906LT3G

TRANS PNP 40V 200MA SOT23-3

Üretici
onsemi
Paket/Kılıf
TO-236-3
Seri / Aile Numarası
MMBT3906

MMBT3906LT3G Hakkında

MMBT3906LT3G, onsemi tarafından üretilen PNP tipi bipolar junction transistör (BJT) olup, yüksek hızlı anahtarlama ve amplifikasyon uygulamalarında kullanılan genel amaçlı bir bileşendir. SOT-23-3 (TO-236) yüzey montajlı paketinde sunulan bu transistör, 40V maksimum kolektor-emiter gerilimi ve 200mA maksimum kolektor akımı kapasitesine sahiptir. 250MHz transition frequency ile hızlı işlem gerektiren devrelerde etkili bir şekilde çalışabilir. Dc current gain değeri 100 (minimum, 10mA, 1V'de) olup, düşük güç tüketimi (300mW max) nedeniyle taşınabilir cihazlarda, ses amplifikatörlerinde, RF devrelerinde, darbe şekillendirme devrelerinde ve genel sinyal işleme uygulamalarında yaygın olarak kullanılır. -55°C ile 150°C arasında geniş çalışma sıcaklık aralığı sayesinde endüstriyel ve tüketici uygulamalarına uygun bir seçenektir.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Collector (Ic) (Max) 200 mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 100 @ 10mA, 1V
Frequency - Transition 250MHz
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Part Status Active
Power - Max 300 mW
Supplier Device Package SOT-23-3 (TO-236)
Transistor Type PNP
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 400mV @ 5mA, 50mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 40 V

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok