Transistörler - Bipolar (BJT) - Tekil
MMBT3906LT1HTSA1
TRANS PNP 40V 200MA SOT23-3
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- TO-236-3
- Seri / Aile Numarası
- MMBT3906
MMBT3906LT1HTSA1 Hakkında
MMBT3906LT1HTSA1, Infineon Technologies tarafından üretilen PNP bipolar junction transistördür (BJT). Surface mount SOT-23-3 paketinde sunulan bu komponent, azalan sinyalleri yükseltmek ve anahtarlama uygulamalarında kullanılır. Maksimum 40V collector-emitter gerilimi ve 200mA collector akımı ile düşük güç uygulamalarına uygundur. 250MHz transition frequency'si ile orta hızlı anahtarlama işlemleri gerçekleştirebilir. 100 minimum DC current gain (hFE) değeri ile yeterli sinyal yükseltimi sağlar. Güç tüketimi maksimum 330mW olup, consumer elektronik, sinyal işleme ve genel amaçlı anahtarlama devrelerinde yaygın olarak kullanılır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 200 mA |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 50nA (ICBO) |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 100 @ 10mA, 1V |
| Frequency - Transition | 250MHz |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| Part Status | Not For New Designs |
| Power - Max | 330 mW |
| Supplier Device Package | PG-SOT23 |
| Transistor Type | PNP |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 400mV @ 5mA, 50mA |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 40 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok