Transistörler - Bipolar (BJT) - Tekil
MMBT3906FA-7B
TRANS PNP 40V 0.2A X2-DFN0806-3
- Üretici
- Diodes Incorporated
- Paket/Kılıf
- 3-XFDFN
- Seri / Aile Numarası
- MMBT3906
MMBT3906FA-7B Hakkında
MMBT3906FA-7B, Diodes Incorporated tarafından üretilen PNP bipolar junction transistör (BJT) olup, surface mount X2-DFN0806-3 paketinde sunulmaktadır. 40V maksimum collector-emitter gerilimi ve 200mA collector akımı kapasitesine sahip olan bu transistör, düşük güç uygulamaları için tasarlanmıştır. 300MHz transition frequency ile hızlı anahtarlama işlemlerine uygun olup, geniş sıcaklık aralığında (-55°C ~ 150°C) stabil çalışma sağlar. 100 minimum DC current gain (hFE) değeri ile sinyal amplifikasyonu ve switching uygulamalarında kullanılır. Maksimum 435mW güç dağıtım kapasitesi ile kompakt devre tasarımlarında, özellikle taşınabilir cihazlar, ses amplifikatörleri, PWM denetim devrelerinde ve genel amaçlı anahtarlama uygulamalarında tercih edilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 200 mA |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 50nA (ICBO) |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 100 @ 10mA, 1V |
| Frequency - Transition | 300MHz |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | 3-XFDFN |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 435 mW |
| Supplier Device Package | X2-DFN0806-3 |
| Transistor Type | PNP |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 400mV @ 5mA, 50mA |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 40 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok