Transistörler - Bipolar (BJT) - Tekil

MMBT3906_F080

INTEGRATED CIRCUIT

Üretici
onsemi
Paket/Kılıf
TO-236-3
Seri / Aile Numarası
MMBT3906

MMBT3906_F080 Hakkında

MMBT3906_F080, onsemi tarafından üretilen PNP bipolar junction transistördür (BJT). Surface mount SOT-23-3 paketinde sunulan bu transistör, 200mA maksimum collector akımı ve 250MHz transition frequency ile çalışır. 40V collector-emitter gerilim dayanımı ve 350mW maksimum güç dissipasyonuna sahiptir. -55°C ile 150°C arasında çalışma sıcaklığına uygun olan bu komponent, düşük sinyalli anahtarlama uygulamaları, amplifikasyon devreleri ve genel amaçlı transistör uygulamalarında kullanılır. Minimum 100 hFE DC akım kazancı ile sinyal kontrolü gerektiren devreler için uygundur. Küçük form faktörü nedeniyle yoğun entegrasyon gerektiren elektronik cihazlarda tercih edilir.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Collector (Ic) (Max) 200 mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 100 @ 10mA, 1V
Frequency - Transition 250MHz
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Part Status Obsolete
Power - Max 350 mW
Supplier Device Package SOT-23-3
Transistor Type PNP
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 400mV @ 5mA, 50mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 40 V

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok