Transistörler - Bipolar (BJT) - Tekil
MMBT3906-13
TRANS PNP 40V 200MA SOT23-3
- Üretici
- Diodes Incorporated
- Paket/Kılıf
- TO-236-3
- Seri / Aile Numarası
- MMBT3906
MMBT3906-13 Hakkında
MMBT3906-13, Diodes Incorporated tarafından üretilen bir PNP bipolar junction transistördür (BJT). SOT-23-3 yüzey montaj paketi ile sunulan bu transistör, maksimum 40V collector-emitter gerilimi ve 200mA collector akımı kapasitesiyle çalışmaktadır. 250MHz transition frequency ile darbe devrelerinde, ses frekansı uygulamalarında ve genel sinyal anahtarlaması işlevlerinde kullanılabilir. DC akım kazancı (hFE) 10mA'de 100V'ta minimum 100 değerine sahiptir. Maksimum güç tüketimi 310mW'tır ve -55°C ile +150°C arasında çalışma sıcaklığına dayanabilir. Küçük boyutu ve düşük güç gereksinimleri nedeniyle taşınabilir elektronik cihazları, ses amplifikatörleri ve kontrol devreleri gibi uygulamalarda yer alır. Bileşen kullanılmış/stoktan çıkarılmış (obsolete) durumdadır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 200 mA |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 50nA |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 100 @ 10mA, 1V |
| Frequency - Transition | 250MHz |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| Part Status | Obsolete |
| Power - Max | 310 mW |
| Supplier Device Package | SOT-23-3 |
| Transistor Type | PNP |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 400mV @ 5mA, 50mA |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 40 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok