Transistörler - Bipolar (BJT) - Tekil
MMBT3904FN3_R1_00001
DFN 3L, TRANSISTOR
MMBT3904FN3_R1_00001 Hakkında
MMBT3904FN3_R1_00001, PANJIT tarafından üretilen NPN bipolar junction transistördür. 3-UFDFN (1x0.6mm) yüzey montaj paketi ile sunulan bu komponent, küçük sinyal anahtarlama ve amplifikasyon uygulamalarında kullanılır. Maksimum collector akımı 200mA, collector-emitter gerilimi 40V, maksimum güç tüketimi 250mW olan cihaz, geniş çalışma sıcaklık aralığında (-55°C ~ 150°C) stabil performans sağlar. DC akım kazancı (hFE) 100V'da 10mA akıma göre minimum 100 değerine sahiptir. Düşük VCE doyum gerilimi (300mV @ 50mA) ile hızlı anahtarlama işlemlerine uygundur. Taşınabilir cihazlar, sensör arayüzleri ve genel amaçlı sinyal işleme devrelerinde yaygın olarak tercih edilmektedir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 200 mA |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 50nA |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 100 @ 10mA, 1V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | 3-UFDFN |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 250 mW |
| Supplier Device Package | 3-DFN (1x0.6) |
| Transistor Type | NPN |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 300mV @ 5mA, 50mA |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 40 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok