Transistörler - Bipolar (BJT) - Tekil

MMBT3416LT3G

TRANS NPN 40V 100MA SOT23-3

Üretici
onsemi
Paket/Kılıf
TO-236-3
Seri / Aile Numarası
MMBT3416

MMBT3416LT3G Hakkında

MMBT3416LT3G, onsemi tarafından üretilen NPN bipolar junction transistör (BJT) olup düşük güç uygulamaları için tasarlanmıştır. 40V maksimum Vce desimleme voltajı ve 100mA maksimum collector akımı ile sinyal işleme, anahtarlama ve amplifikasyon devrelerinde kullanılabilir. Surface mount SOT-23-3 paketlemesiyle, kompakt tasarımlı elektronik cihazlarda yer alan analog amplifikatörler, ses devreleri, röle kontrolü ve genel amaçlı anahtarlama uygulamalarında tercih edilir. 225mW maksimum güç tüketimi ve -55°C ile 150°C arasındaki geniş çalışma sıcaklığı aralığı ile çeşitli ortam koşullarında güvenilir performans sağlar.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Collector (Ic) (Max) 100 mA
Current - Collector Cutoff (Max) 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 75 @ 2mA, 4.5V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Part Status Active
Power - Max 225 mW
Supplier Device Package SOT-23-3 (TO-236)
Transistor Type NPN
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 300mV @ 3mA, 50mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 40 V

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok