Transistörler - Bipolar (BJT) - Tekil

MMBT2907ALT1G

TRANS PNP 60V 600MA SOT23-3

Üretici
onsemi
Paket/Kılıf
TO-236-3
Seri / Aile Numarası
MMBT2907A

MMBT2907ALT1G Hakkında

MMBT2907ALT1G, onsemi tarafından üretilen PNP tipi bipolar junction transistördür (BJT). SOT-23-3 yüzey montaj paketinde sunulan bu komponent, maksimum 60V collector-emitter gerilimi ve 600mA collector akımı kapasitesine sahiptir. 200MHz transition frequency ile orta hızlı anahtarlama uygulamalarında kullanılır. -55°C ile +150°C işletme sıcaklık aralığında çalışan cihaz, 300mW güç tüketimi sınırlaması ile tasarlanmıştır. DC akım kazancı (hFE) minimum 100 değerindedir. Düşük power dissipation gerektiren ses amplifikasyonu, RF uygulamaları, anahtarlama devreleri ve genel amaçlı analog devreler tasarımında yaygın olarak kullanılır. Küçük boyutu ve düşük maliyeti nedeniyle taşınabilir elektronik cihazlarda tercih edilmektedir.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Collector (Ic) (Max) 600 mA
Current - Collector Cutoff (Max) 10nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 100 @ 150mA, 10V
Frequency - Transition 200MHz
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Part Status Active
Power - Max 300 mW
Supplier Device Package SOT-23-3 (TO-236)
Transistor Type PNP
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 1.6V @ 50mA, 500mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 60 V

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok