Transistörler - Bipolar (BJT) - Tekil
MMBT2907A RFG
TRANSISTOR, PNP, -60V, -0.6A, 50
- Üretici
- Taiwan Semiconductor
- Paket/Kılıf
- TO-236-3
- Seri / Aile Numarası
- MMBT2907A
MMBT2907A RFG Hakkında
MMBT2907A RFG, Taiwan Semiconductor tarafından üretilen PNP bipolar junction transistörtür. Surface mount SOT-23-3 paketinde sunulan bu bileşen, -60V collector-emitter breakdown voltajına ve 600mA maksimum collector akımına sahiptir. 200MHz transition frequency ile orta hızlı anahtarlama uygulamalarında kullanılır. 350mW güç kapasitesi ve -55°C ile +150°C arasında çalışma sıcaklık aralığı ile geniş endüstriyel ve tüketici uygulamalarında yer alabilir. Ses amplifikatörleri, anahtarlama devreleri, darbe şekilleme ve genel amaçlı amplifikasyon uygulamalarında tercih edilir. DC current gain (hFE) değeri 150mA'da, 10V'da minimum 100'dür.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 600 mA |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 50nA |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 100 @ 150mA, 10V |
| Frequency - Transition | 200MHz |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 350 mW |
| Supplier Device Package | SOT-23 |
| Transistor Type | PNP |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 1.6V @ 50mA, 500mA |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 60 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok