Transistörler - Bipolar (BJT) - Tekil
MMBT2907A
T-PNP SI- GEN PUR AMP
- Üretici
- NTE Electronics, Inc.
- Paket/Kılıf
- TO-236-3
- Seri / Aile Numarası
- MMBT2907A
MMBT2907A Hakkında
MMBT2907A, NTE Electronics tarafından üretilen yüksek frekans PNP bipolar junction transistörüdür. Surface mount SOT-23-3 paketinde sunulan bu komponent, genel amaçlı sinyal amplifikasyon uygulamalarında kullanılır. 600mA collector akımı, 200MHz transition frequency ve 350mW maksimum güç kapasitesi ile sinyallerin anahtarlanması, amplifikasyonu ve modülasyonu gibi orta düzey güç gerektiren elektronik devrelerde yer alır. 60V collector-emitter breakdown voltajı, 150°C'ye kadar işletme sıcaklığı ve 100 minimum DC current gain özellikleri ile endüstriyel kontrol, ses amplifikasyonu, RF devreler ve genel sinyal işleme uygulamalarında yaygın olarak tercih edilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 600 mA |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 10nA (ICBO) |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 100 @ 150mA, 10V |
| Frequency - Transition | 200MHz |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 350 mW |
| Supplier Device Package | SOT-23-3 |
| Transistor Type | PNP |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 1.6V @ 50mA, 500mA |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 60 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok