Transistörler - Bipolar (BJT) - Tekil

MMBT2907A-G

TRANS PNP 60V 0.6A SOT-23

Paket/Kılıf
TO-236-3
Seri / Aile Numarası
MMBT2907A

MMBT2907A-G Hakkında

MMBT2907A-G, Comchip Technology tarafından üretilen yüksek hızlı PNP bipolar jonksiyon transistörüdür. SOT-23 yüzey montaj paketinde sunulan bu komponent, 60V maksimum Vce darbelenme gerilimi ve 600mA maksimum kollektör akımı kapasitesine sahiptir. 200MHz transition frequency ile hızlı anahtarlama uygulamalarında kullanılmaya uygundur. -55°C ile 150°C arasındaki geniş çalışma sıcaklığı aralığında güvenilir performans sağlar. 250mW maksimum güç kapasitesi ile düşük güçlü analog ve dijital devrelerde sinyal amplifikasyonu, anahtarlama ve mantık seviyeleri uyumlaştırma (level shifting) gibi uygulamalarda tercih edilir. 100 minimum DC current gain (hFE) değeri ile güvenilir amplifikasyon özelliği sunar.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Collector (Ic) (Max) 600 mA
Current - Collector Cutoff (Max) 20nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 100 @ 150mA, 10V
Frequency - Transition 200MHz
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Part Status Active
Power - Max 250 mW
Supplier Device Package SOT-23-3
Transistor Type PNP
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 1.6V @ 50mA, 500mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 60 V

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok