Transistörler - Bipolar (BJT) - Tekil

MMBT2484LT3G

TRANS NPN 60V 0.1A SOT23

Üretici
onsemi
Paket/Kılıf
TO-236-3
Seri / Aile Numarası
MMBT2484

MMBT2484LT3G Hakkında

MMBT2484LT3G, onsemi tarafından üretilen bir NPN tipi bipolar junction transistördür (BJT). SOT-23-3 (TO-236) yüzey montajlı paketinde sunulan bu bileşen, maksimum 60V Vce (Collector-Emitter) gerilimi ve 100mA kolektör akımıyla çalışabilir. 250'lik minimum DC akım kazancı (hFE) ve 225mW maksimum güç derecelendirmesi ile düşük sinyallerin kontrolü ve amplifikasyonu için uygulanır. -55°C ile +150°C arasında çalışabilen bu transistör, küçük ve orta güçlü anahtarlama uygulamalarında, sinyal amplifikasyonunda ve gerilim kontrolü devrelerinde yaygın olarak kullanılmaktadır.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Collector (Ic) (Max) 100 mA
Current - Collector Cutoff (Max) 10nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 250 @ 1mA, 5V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Part Status Active
Power - Max 225 mW
Supplier Device Package SOT-23-3 (TO-236)
Transistor Type NPN
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 350mV @ 100µA, 1mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 60 V

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok