Transistörler - Bipolar (BJT) - Tekil

MMBT2484LT1G

TRANS NPN 60V 100MA SOT23-3

Üretici
onsemi
Paket/Kılıf
TO-236-3
Seri / Aile Numarası
MMBT2484

MMBT2484LT1G Hakkında

MMBT2484LT1G, onsemi tarafından üretilen bir NPN bipolar junction transistördür (BJT). SOT-23-3 (TO-236) yüzey monte paketinde sunulan bu transistör, maksimum 60V collector-emitter gerilimi ve 100mA collector akımı ile çalışabilir. DC current gain (hFE) değeri 1mA ve 5V şartlarında minimum 250'dir. 225mW güç kapasitesine sahip olan MMBT2484, -55°C ile 150°C arasında çalışmaya uygun şekilde tasarlanmıştır. Düşük leakage akımı (ICBO maksimum 10nA) ve hızlı switching karakteristiği sayesinde genel amaçlı amplifikasyon, switching ve lojik devre uygulamalarında kullanılır. Kompakt boyutu nedeniyle yoğun entegrasyon gerektiren mobil cihazlar, ses sistemleri ve endüstriyel kontrol elektronikleri gibi uygulamalarda tercih edilir.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Collector (Ic) (Max) 100 mA
Current - Collector Cutoff (Max) 10nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 250 @ 1mA, 5V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Part Status Active
Power - Max 225 mW
Supplier Device Package SOT-23-3 (TO-236)
Transistor Type NPN
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 350mV @ 100µA, 1mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 60 V

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok